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產(chǎn)品介紹：

     SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導體材料。然而生長優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中第一要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類型、表面性質(zhì)和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學性質(zhì)等等。

    合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質(zhì)的晶種品質(zhì)為客戶SiC長晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。
 
物理性質(zhì)：



標準參數(shù)：

    完全可以根據(jù)客戶需求提供不同品質(zhì)的晶種。Micropipe密度，標準控制在30/cm2以內(nèi)，高品質(zhì)可以控制在5/cm2以內(nèi)。

 
典型客戶：

美國，歐洲，亞洲及國內(nèi)SiC襯底企業(yè)。